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SI8466EDB-T2-E1中文资料

SI8466EDB-T2-E1图片

SI8466EDB-T2-E1外观图

  • 大小:166KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT
  • 现有数量:0现货查看交期
  • 价格:1 : ¥4.05000剪切带(CT)3,000 : ¥1.42324卷带(TR)
  • 系列:TrenchFET?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):8 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):43 毫欧 @ 2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):13 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):710 pF @ 4 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):780mW(Ta),1.8W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:4-Microfoot
  • 封装/外壳:4-UFBGA,WLCSP

SI8466EDB-T2-E1供应商

更新时间:2023-01-30 15:12:32
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